本文標(biāo)題："高速微電子元件材料的特點(diǎn)-具有高的導(dǎo)熱"
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高速微電子元件材料的特點(diǎn)-具有高的導(dǎo)熱
隨著半導(dǎo)體高介電材之發(fā)展其應(yīng)用于MOS FET之閘極薄介電層
越越受重視，氮化鋁
AlN高介電半導(dǎo)體材具有高能隙的特點(diǎn)且結(jié)構(gòu)穩(wěn)定具有高的導(dǎo)熱，
因此可應(yīng)用于高速微電子元件之應(yīng)用，此外由于
氮化鋁對(duì)紫外光具有高穿透性因此也有潛可應(yīng)用于制作紫外光波段
之光偵測器元件，本研究用準(zhǔn)分子射濺鍍
AlN薄膜于Si基板上完成一
Al/AlN/Si MIS元件之制作，并研究其光電特性。
本文將介紹準(zhǔn)分子射濺鍍
AlN薄膜之基本原及其沉積條件射能對(duì)
AlN薄膜表面粗糙之影響，以及用IV 及CV測分析
Al/AlN/Si MIS元件介面之性質(zhì)，以及其對(duì)波長光響應(yīng)的影響，作為未
發(fā)展以Si為基礎(chǔ)之紫外光光偵測元件之考
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